Now showing items 1-20 of 64

    • DETERMINATION OF OPTIMAL SIZES OF SENSORS MEMBRANE ELEMENTS BY MEASURING ELASTIC MODULES USING THE RESONANCE METHOD 

      Dyachok, D.A.; Lukashin, V.V.; Volchok, N.A.; Gorbachev, V.E.; Polyakov, S.N.; Дячок, Д.О.; Лукашин, В.В.; Волчок, Н.А.; Горбачов, В.Е.; Поляков, С.М.; Дячок, Д.А.; Лукашин, В.В.; Волчок, Н.А.; Горбачев, В.Э.; Поляков, С.Н. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Introduction of the concept of the Internet of Things in telecommunication networks has caused a rapid number growth of new designs and technologies for manufacturing reliable sensors of physical quantities, in particular ...
    • АКУСТО- И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ 

      Ирха, В.И.; Марколенко, П.Ю.; Назаренко, А.А.; Слободянюк, И.А.; Ірха, В.І.; Марколенко, П.Ю.; Назаренко, О.А.; Слободянюк, І.А.; Irkha, V.I.; Markolenko, P.Yu.; Nazarenko, A.A.; Slobodyanyuk, I.A. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
      Рассматриваются возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличения чувствительности и стабильности в газовых датчиках, работающих на основе акусто – и оптоэлектронных эффектов. Показано, что образование ...
    • ВАРИСТОРЫ ИЗ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4, ПОЛУЧЕННЫЕ С ПОМОЩЬЮ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 

      Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Курмашев, Ш.Д.; Вікулін, І.М.; Горбачов, В.Е.; Курмашев, Ш.Д.; Vikulin, I.M.; Gorbachev, V.E.; Kurmashev, Sh.D. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
      Рассмотрен процесс получения порошков карбида кремния SiC и нитрида кремния Si3N4 с применением излучения С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые в процессе изготовления реагентные газы - силан SiH4 и аммиак ...
    • ВЛИЯНИЕ Y-ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗЛУЧАЮЩИХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 

      Ирха, В.И.; Коваль, А.Р.; Хижняк, А.А.; Ірха, В.І.; Коваль, А.Р.; Хижняк, А.А.; Irkha, V.I.; Koval, A.R.; Hizhnjak, A.A. (УНДІРТ, 2002)
      Описываются особенности воздействия ионизирующего излучения на характеристики светоизлучающих диодов на основе GaAlAs. Описуються особливості дії іонізуючого випромінювання на характеристики світловипромінюючих діодів на ...
    • ВЛИЯНИЕ МЕТАЛЛОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ МДП-СТРУКТУР К ВОДОРОДУ 

      Ирха, В.И.; Викулин, И.М.; Ірха, В.І.; Вікулін, І.М.; Irkha, V.I.; Vikulin, I.M. (ОНАЗ ім. О. С. Попова, 2013)
      Рассматривается возможность использования металлов различной толщины и диэлектриков в МДП-структурах, чувствительных к водороду. Розглядається можливість використання металів різної товщини та діелектриків у МДН-структурах, ...
    • ВЛИЯНИЕ ПЕРЕИЗЛУЧЕНИЯ НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ КВАНТОВОГО ВЫХОДА ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ 

      Ирха, В.И.; Коваль, А.Р.; Ірха, В.І.; Коваль, А.Р.; Irkha, V.I.; Koval, A.R. (УНДІРТ, 2002)
      Описываются особенности температурного гашения электролюминесценции светоизлучающих диодов с переизлучением фотонов. Описуються особливості температурного гасіння електролюмінесценції світловипромінюючих діодів з ...
    • ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

      Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Курмашев, Ш.Д. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
      Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного ...
    • ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

      Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Курмашев, Ш.Д.; Вікулин, І.М.; Горбачов, В.Е.; Курмашев, Ш.Д.; Vikulin, I.M.; Gorbachev, V.E.; Kurmashev, Sh.D. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
      Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного ...
    • ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

      Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Курмашев, Ш.Д.; Вікулін, І.М.; Горбачов, В.Е.; Курмашев, Ш.Д.; Vikulin, I.M.; Gorbachev, V.E.; Kurmashev, Sh.D. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
      Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим ...
    • ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СЕНСОРЫ КАК АНАЛИЗАТОРЫ РАЗЛИЧНЫХ ГАЗОВ 

      Ирха, В.И.; Слободянюк, И.А.; Ірха, В.І.; Слободянюк, І.А.; Irkha, V.I.; Slobodyanyuk, I.A. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Показана возможность и перспективность создания волоконно-оптических сенсоров на основе современных достижений в оптоэлектронике, волновой оптике и электроскопии для определения концентрации различных газов в окружающей ...
    • ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДОЗИМЕТРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ И ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

      Викулин, И.М.; Веремьева, А.В.; Горбачев, В.Э.; Марколенко, П.Ю.; Викулін, І.М.; Веремьева, А.В.; Горбачов, В.Е.; Марколенко, П.Ю.; Vikulin, I.M.; Veremyova, A.V.; Gorbachev, V.E.; Markolenko, P.Yu. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
      Экспериментально исследована возможность создания датчика радиации на основе измерительного моста из четырех полевых транзисторов. Использование в качестве сенсорных элементов полевых транзисторов позволяет увеличить ...
    • ГЛУБОКИЕ ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ДЛЯ ВОСП 

      Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2010)
      Изучено влияние глубоких примесных центров в p-n-переходах на основе GaAlАs на эффективность электролюминесценции. Исследовались термостимулированные токи при различных скоростях нагрева p-n-переходов. Обнаружен рост ...
    • ДЕГРАДАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО ДЕТЕКТОРА АММИАКА 

      Батраков, В.В.; Викулин, И.М.; Ирха, В.И.; Коробицын, Б.В.; Батраков, В.В.; Вікулін, І.М.; Ірха, В.І.; Коробіцин, Б.В.; Batrakov, V.V.; Vikulin, I.M.; Irkha, V.I.; Korobitsyn, B.V. (УНДІРТ, 1996)
      В данной статье описан оптоэлектронный газовый детектор аммиака с газочувствительной пленкой на основе солей фталевой кислоты, являющейся модулятором света. Получены временные характеристики газочувствительной пленки, ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GaAIAs ДЛЯ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА 

      Ирха, В.И.; Коваль, А.Р.; Ірха, В.І.; Коваль, А.Р.; Irkha, V.I.; Koval, A.R. (УНДІРТ, 2005)
      В работе приводятся исследования деградации многослойных гетероструктур на основе GaAIAs. Испытания проводились при различных величинах тока через образец и температурах 300 + 420° К. Исследовался разогрев активной области ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ GаAlAs – СТРУКТУР 

      Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I.; Марколенко, П.Ю.; Марколенко, П.Ю.; Markolenko, P.Yu. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Проведено исследование деградации многослойных гетероструктур (МГС) на основе GаAlAs под действием γ - излучения. Изучены изменения вольтамперных характеристик МГС, спектров излучения, ваттамперных и вольтваттных характеристик ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТОРОСТРУКТУР ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 

      Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Проведено исследование деградации излучающих многослойных гетероструктур под действием g-излучения Co60. Изучены изменения вольтамперных характеристик таких структур, спектро в излучения, ваттамперных и вольтваттных ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ 

      Викулин, И.М.; Курмашев, Ш.Д.; Горбачев, В.Э.; Крыськив, С.К.; Вікулін, І.М.; Курмашев, Ш.Д.; Горбачев, В.Е.; Криськів, С.К.; Vikulin, I.M.; Kurmashev, Sh.D.; Gorbachev, V.E.; Kryskiv, S.K. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2012)
      Рассмотрены механизмы изменения параметров компонентов ВОЛС при радиационном воздействии. Влияние радиации на элементы ВОЛС проявляется в уменьшении интенсивности света, излучаемого светодиодом, а также в снижении ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ОПТИКИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЛЕГКИХ ЧАСТИЦ 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
      Рассматриваются вопросы создания точечных дефектов в кристаллической решетке под действием электронов и экситонов. Показано условия учета таких дефектов в элементах интегральной оптики.
    • ДЕЙСТВИЕ РАДИАЦИИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

      Марколенко, П.Ю.; Вакулина, Л.Ф.; Нимцович, А.И. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2008)
      Исследовано влияние магнитного поля на характеристики магнитотранзисторов - транзисторов, ток через которые управляется внешним магнитным полем. Показано, что выбором дозы облучения можно как уменьшать, так и увеличивать ...
    • ДЕЙСТВИЕ РАДИАЦИИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

      Марколенко, П.Ю.; Викулина, Л.Ф.; Нимцович, А.И; Марколенко, П.Ю.; Вікуліна, Л.Ф.; Німцович, А.І.; Markolenko, P.Yu.; Vikulina, L.F.; Nimtsovich, A.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2008)
      Исследовано влияние магнитного поля на характеристики магнитотранзисторов - транзисторов, ток через которые управляется внешним магнитным полем. Показано, что выбором дозы облучения можно как уменьшать, так и увеличивать ...