ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДОЗИМЕТРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ И ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Abstract

Экспериментально исследована возможность создания датчика радиации на основе измерительного моста из четырех полевых транзисторов. Использование в качестве сенсорных элементов полевых транзисторов позволяет увеличить чувствительность датчика, а мостовая схема их включения снижает уровень шумов до минимума. Комбинация четырех полевых транзисторов, два из которых с положительным знаком радиационной чувствительности, а два других с отрицательным, позволяет на порядок увеличить зависимость выходного напряжения в диагонали моста датчика от интенсивности облучения. Для улучшения помехозащищенности полезного сигнала при его дальнейшем усилении и устранения промежуточных АЦП при сопряжении датчика с цифровыми системами обработки информации в качестве датчика был использован генератор релаксационных колебаний на основе однопереходного транзистора с полевым транзистором в цепи эмиттера. Выходным параметром такого датчика является частота переменного сигнала в зависимости от интенсивности облучения. . Експериментально досліджена можливість створення датчика радіації на основі вимірювального моста з чотирьох польових транзисторів. Використання в якості сенсорних елементів польових транзисторів дозволяє збільшити чутливість датчика, а мостова схема їх з'єднання знижує рівень шумів до мінімуму. Комбінація чотирьох польових транзисторів, два з яких з позитивним знаком радіаційної чутливості, а два інших з негативним, дозволяє на порядок збільшити залежність вихідної напруги в діагоналі моста датчика від інтенсивності опромінення. Для поліпшення завадозахищеності корисного сигналу при його подальшому посиленні й усунення проміжних АЦП при спряженні датчика з цифровими системами обробки інформації в якості датчика був використаний генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора з польовим транзистором в ланцюзі емітера. Вихідним параметром такого датчика є частота змінного сигналу залежно від інтенсивності опромінення. The possibility of making of the data unit of radiation on the basis of the bridge from four field-effect transistors has been observationally investigated. Use as sensory units of field-effect transistors allows to increase sensitivity of the detector, and the bridge-type of their connection decreases a noise level to a minimum. The combination of four field-effect transistors, two of which have a positive sign of radiation susceptibility, but others two have a negative sign, allows to obtain by order of magnitude greater the dependence of an output potential in a diagonal of a bridge of the detector from intensity of radiation. For improving of noise immunity of a desired signal at its further amplification and elimination of the intermediate analogue-digital converters at matching of the detector with numeral data reduction systems, the relaxation generator on the base of the unijunction transistor with the field-effect transistor in an emitter circuit has been used as sensitive element. The exit parameter of such detector is frequency of a variable signal depending on intensity of radiation.