Collections in this community

  • Статьи

    Статти з телекомунікаційних систем та мереж, антен та пристроїв мікрохвильової техніки, радіотехнічних пристроїв та засобів телекомунікацій, радіотехнічних та телевізійних систем, оптоелектронних систем, твердотільної ...

Recent Submissions

  • ВАРИСТОРЫ ИЗ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4, ПОЛУЧЕННЫЕ С ПОМОЩЬЮ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 

    Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Курмашев, Ш.Д.; Вікулін, І.М.; Горбачов, В.Е.; Курмашев, Ш.Д.; Vikulin, I.M.; Gorbachev, V.E.; Kurmashev, Sh.D. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
    Рассмотрен процесс получения порошков карбида кремния SiC и нитрида кремния Si3N4 с применением излучения С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые в процессе изготовления реагентные газы - силан SiH4 и аммиак ...
  • ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДОЗИМЕТРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ И ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

    Викулин, И.М.; Веремьева, А.В.; Горбачев, В.Э.; Марколенко, П.Ю.; Викулін, І.М.; Веремьева, А.В.; Горбачов, В.Е.; Марколенко, П.Ю.; Vikulin, I.M.; Veremyova, A.V.; Gorbachev, V.E.; Markolenko, P.Yu. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
    Экспериментально исследована возможность создания датчика радиации на основе измерительного моста из четырех полевых транзисторов. Использование в качестве сенсорных элементов полевых транзисторов позволяет увеличить ...
  • УВЕЛИЧЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФОТОРЕЗИСТОРОВ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ 

    Ирха, В.И.; Ирха, Ю.В.; Шишкова, С.И.; Ірха, В.І.; Ірха, Ю.В.; Шишкова, С.І.; Irkha, V.I.; Irkha, Yu.V.; Shyshkova, S.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
    Рассматриваются возможности и физические принципы увеличения чувствительности фоторезисторов. Даны основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что основным путем увеличения чувствительности ...
  • ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 

    Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Курмашев, Ш.Д. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
    Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного ...
  • АКУСТО- И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ 

    Ирха, В.И.; Марколенко, П.Ю.; Назаренко, А.А.; Слободянюк, И.А.; Ірха, В.І.; Марколенко, П.Ю.; Назаренко, О.А.; Слободянюк, І.А.; Irkha, V.I.; Markolenko, P.Yu.; Nazarenko, A.A.; Slobodyanyuk, I.A. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
    Рассматриваются возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличения чувствительности и стабильности в газовых датчиках, работающих на основе акусто – и оптоэлектронных эффектов. Показано, что образование ...
  • ПРОЦЕССЫ, ПРОИСХОДЯЩИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ С ГАЗОВОЙ СРЕДОЙ 

    Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2012)
    Рассматриваются процессы, происходящие в полупроводниках при взаимодействии с газовой средой. Определяются их физические механизмы, позволяющие найти информативные параметры процесса. Розглядаються процеси, що проходять ...
  • ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ 

    Викулин, И.М.; Курмашев, Ш.Д.; Горбачев, В.Э.; Крыськив, С.К.; Вікулін, І.М.; Курмашев, Ш.Д.; Горбачев, В.Е.; Криськів, С.К.; Vikulin, I.M.; Kurmashev, Sh.D.; Gorbachev, V.E.; Kryskiv, S.K. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2012)
    Рассмотрены механизмы изменения параметров компонентов ВОЛС при радиационном воздействии. Влияние радиации на элементы ВОЛС проявляется в уменьшении интенсивности света, излучаемого светодиодом, а также в снижении ...
  • ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОДОРОДОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ТУННЕЛЬНИХ МДП-ДИОДОВ И ДИОДОВ ШОТТКИ 

    Ирха, В.И.; Викулин, И.М.; Михалаки, В.Ф. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2012)
    Рассматриваются процессы, происходящие в туннельных МДП-диодах и диодах Шоттки, при их взаимодействии с водородом и его влияние на электрические характеристики таких структу Розглядаються процеси, що проходять в тунельних ...
  • ФИЗИЧЕСКАЯ ПРИРОДА АДСОРБЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ К ВОДОРОДУ МДП- И МП-СТРУКТУР 

    Ирха, В.И.; Викулин, И.М.; Крыськив, С.К.; Ірха, В.І.; Вікулін, І.М.; Криськів, С.К.; Irkha, V.I.; Vikulin, I.M.; Kryskiv, S.K. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2011)
    Рассматриваются основные физико-химические процессы, происходящие в МДП- и МП-структурах при взаимодействии с водородом. Устанавливается физический механизм адсорбционной чувствительности таких структур. Розглядаються ...
  • ГЛУБОКИЕ ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ДЛЯ ВОСП 

    Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2010)
    Изучено влияние глубоких примесных центров в p-n-переходах на основе GaAlАs на эффективность электролюминесценции. Исследовались термостимулированные токи при различных скоростях нагрева p-n-переходов. Обнаружен рост ...
  • ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ ДЛЯ ВОСП 

    Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2010)
    Проведено исследование деградации светоизлучающих диодов для волоконно-оптических систем передачи на основе Ga 1-хAl хAs при питании импульсами тока 10 А, длительностью 100 нс и частотой 300 Гц, а также при 50 mA, 20 mA и ...
  • ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЛАЗМЕННОГО ЭФФЕКТА ДЛЯ МОДУЛЯЦИИ ОПТИЧЕСКОГО СИГНАЛА 

    Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2009)
    Проведено исследование возможности управления оптическим излучением с помощью плазменного эффекта. Рассмотрены преимущества такой модуляции. Проведено дослідження можливості управління оптичним випромінюванням за до-помогою ...
  • ОЦЕНКА ПРИГОДНОСТИ РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ И ИСКЛЮЧЕНИЕ АНОМАЛЬНЫХ ЗНАЧЕНИЙ 

    Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Коробицын, Б.В.; Крыськив, С.К.; Vikulin, I.M.; Gorbachev, V.E.; Korobitsyn, B.V.; Kryskiv, S.K.; Вікулін, І.М.; Горбачов, В.Е.; Коробіцин, Б.В.; Криськів, С.К. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2007)
    В статье рассмотрены вопросы выявления аномальных результатов измерений. Показано применение различных критериев аномальности. Проведено сравнение критериев и даны рекомендации по их применению. The articles deals with ...
  • РАСЧЕТ ВЛИЯНИЯ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ПРОЦЕСС ВКЛЮЧЕНИЯ ТИРИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ 

    Ирха, В.И.; Марколенко, П.Ю.; Петренко, Н.Л.; Irkha, V.I.; Markolenko, P.Yu.; Petrenko, N.L. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2007)
    Рассмотрено влияние подвижных носителей заряда в области пространственного заряда коллекторного перехода на процесс включения тиристорной структуры. Influencing of mobile charge in area of spatial charge of collector ...
  • ОБРАБОТКА И ПРЕДСТАВЛЕНИЕ СПЕКТРОВ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ 

    Викулин, И.М.; Горбачев, В.Э.; Коробицын, Б.В.; Крыськив, С.К.; Vikulin, I.M.; Gorbachev, V.E.; Korobitsyn, B.V.; Kryskiv, S.K.; Вікулін, І.М.; Горбачев, В.Е.; Коробіцин, Б.В.; Криськів, С.К. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2005)
    В статье обсуждаются перспективные подходы к проблемам измерения, обработки и представления спектральных зависимостей в области оптоэлектроники. Предложен способ графического разделения перекрывающихся полос люминесценции. ...
  • ПРОГНОЗИРОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ ПО ШУМОВЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ 

    Викулин, И.М.; Коробицын, Б.В.; Крыськив, С.К.; Вікулін, І.М.; Коробіцин, Б.В.; Криськів, С.К.; Vikulin, I.M.; Korobitsyn, B.V.; Kryskiv, S.K. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2011)
    В настоящей статье рассматриваются результаты измерений низкочастотных шумов светоизлучающих диодов. Установлено, что светоизлучающие диоды с повышенным уровнем шумов или с аномальной кинетикой роста их в первые часы ...
  • МДП-КОНДЕНСАТОРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К РАЗЛИЧНЫМ ГАЗАМ 

    Ирха, В.И.; Викулин, И.М.; Костянтинов, К.В.; Ірха, В.І.; Вікулін, І.М.; Константинов, К.В.; Irkha, V.I.; Vikulin, I.M.; Konstantinov, K.V. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2014)
    Определяются возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличения чувствительности в газовом детекторе на основе МДП-конденсатора. Визначаються можливості розширення діапазону аналізованих речовин, збільшення ...
  • ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ГОМОГЕННЫХ р-п-СТРУКТУР 

    Викулин, И.М.; Коробицын, Б.В.; Крыськив, С.К.; Вікулін, І.М.; Коробіцин, Б.В.; Криськів, С.К.; Vikulin, I.M.; Korobitsyn, B.V.; Kryskiv, S.K. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2014)
    Показана возможность определения ширины запрещенной зоны гомогенных р-n-структур по свойствам вольтамперных характеристик при двух температурах. Получена рабочая формула для расчета и показано ее применение для определения ...
  • ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ В КАЧЕСТВЕ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ 

    Ирха, В.И.; Ирха, Ю.В.; Костянтинов, К.В.; Ірха, В.І.; Ірха, Ю.В.; Константинов, К.В.; Irkha, V.I.; Irkha, Yu.V.; Konstantinov, K.V. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2014)
    Рассматриваются возможности использования оксидных полупроводников в качестве газочувствительных датчиков. Розглядається можливість використання оксидних напівпровідників у якості газочутливих давачів. Usage of oxcide ...
  • МДП-ТРАНЗИСТОРЫ В КАЧЕСТВЕ ДЕТЕКТОРОВ ГАЗОВ 

    Ирха, В.И.; Костянтинов, К.В.; Ірха, В.І.; Константинов, К.В.; Irkha, V.I.; Konstantinov, K.V. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2013)
    Определяются возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличение стабильности и чувствительности в газовом детекторе на основе МДП-транзистора. Визначаються можливості розширення діапазону аналізованих ...

View more