• English
    • українська
    • русский
  • English 
    • English
    • українська
    • русский
  • Login
View Item 
  •   DSpace Home
  • ННІ Інфокомунікацій та програмної інженерії
  • Кафедра фізики та волоконно-оптичних ліній зв'язку
  • Статьи
  • View Item
  •   DSpace Home
  • ННІ Інфокомунікацій та програмної інженерії
  • Кафедра фізики та волоконно-оптичних ліній зв'язку
  • Статьи
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

GENERATION OF DEFECTS IN P-N-JUNCTIONS THAT ARE MADE FROM GaAS AND GaAIAS AFTER THE X-RAY IRRADIATION

Thumbnail
View/Open
Irkha_ Gorbachev_ Mikhalaki.pdf (162.3Kb)
Date
2012
Author
Irkha, V.I.
Ірха, В.І.
Ирха, В.И.
Gorbachev, V.E.
Горбачов, В.Е.
Горбачев, В.Э.
Mikhalaki, V.F.
Міхалакі, В.Ф.
Михалаки, В.Ф.
Metadata
Show full item record
Abstract
The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.
URI
http://biblio.onat.edu.ua:443/xmlui/handle/123456789/2115
Collections
  • Статьи

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
Atmire NV
 

 

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
Atmire NV