ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС ВКЛЮЧЕНИЯ Р-Х-Р-Х-СТРУКТУРЫ

Abstract

Исследована динамика процесса включения р-n-р-n-структуры на основе двухступенчатой активационной модели перехода из высокоомного в низкоомное состояние. С учетом высокого уровня инжекции рассчитано значение порогового тока переключения структуры. Показано, что высокий уровень инжекции в транзисторах достигается при базовых токах ниже порогового. Без учета высокого уровня инжекции происходит переоценка токов обратной связи при постоянных коэффициентах усиления по току. Досліджена динаміка процесу включення р-n-р-n-структури на основі двоступеневої активаційний моделі переходу з високоомного у низькоомний стан. З урахуванням високого рівня інжекції розраховане значення порогового струму перемикання структури. Показано, що високий рівень інжекції в транзисторах досягається при базових струмах нижче порогового. Без урахування високого рівня інжекції відбувається переоцінка струмів зворотного зв'язку при постійних коефіцієнтах підсилення по струму.