Show simple item record

dc.contributor.authorВикулин, И.М.
dc.contributor.authorКоробицын, Б.В.
dc.contributor.authorКрыськив, С.К.
dc.contributor.authorВікулін, І.М.
dc.contributor.authorКоробіцин, Б.В.
dc.contributor.authorКриськів, С.К.
dc.contributor.authorVikulin, I.M.
dc.contributor.authorKorobitsyn, B.V.
dc.contributor.authorKryskiv, S.K.
dc.date.accessioned2017-09-14T07:54:45Z
dc.date.available2017-09-14T07:54:45Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.issn0131-8675
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1178
dc.descriptionВикулин И.М. Излучательная рекомбинация в слабо вырожденном n-GaAs / И.М. Викулин, Б.В. Коробицин, С.К. Крыськив // Наукові праці ОНАЗ ім.О.С.Попова : періодичний науковий збірник. – 2017. - Вип. 1. - С. 5 - 13.en_US
dc.description.abstractИзмерены спектры краевой люминесценции арсенида галлия (GaAs) слабо легированного p- и n-типа в интервале температур 77…300 К. Выяснены типы излучательных переходов и их зависимости от степени легирования материала и температуры. Установлен критерий исчезновения донорных энергетических уровней вследствие дебаевского экранирования примесей. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции со спектрами электролюминесценции асимметричного p+-n-перехода в режиме сильной инжекции в n-области. Показана особая роль мелких донорных состояний в излучательной рекомбинации в невырожденном и слабо вырожденном n-GaAs. Виміряні спектри крайової люмінесценції арсеніду галію (GaAs) слабо легованого p - і n-типу в інтервалі температур 77...300 К. З'ясовані типи випромінювальних переходів та їх залежності від ступеня легування матеріалу і температури. Встановлено критерій зникнення донорних енергетичних рівнів унаслідок дебаєвського екранування домішок. Проведено порівняння спектрів фотолюмінесценції зі спектрами електролюмінесценції асиметричного p+-n-переходу у режимі сильної інжекції в n-області. Показана особлива роль дрібних донорних станів у випромінювальній рекомбінації в невиродженому і слабо виродженому n-GaAs. The edge luminescence spectra of weakly-doped gallium arsenide (GaAs) of p- and n-types in the temperature range 77 to 300 K have been measured. The types of radiative transitions and theirdependence on the doping degree and temperature are determined. The criterion of disappearance of the donor energy levels due to the Debye shielding of impurities is established. The photoluminescence spectra were compared with the electroluminescence spectra of asymmetric p+-n junction in the regime of strong injection into the n-region. A special role of the shallow donor states in the radiative recombination in non-degenerated and weakly-degenerated n-GaAs is shown.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherОНАЗ ім. О.С. Поповаen_US
dc.subjectФотолюминесценцияen_US
dc.subjectЭлектролюминесценцияen_US
dc.subjectДебаевское экранированиеen_US
dc.subjectЛегированиеen_US
dc.subjectФотолюмінесценціяen_US
dc.subjectЕлектролюмінесценціяen_US
dc.subjectДебаєвське екрануванняen_US
dc.subjectЛегування.en_US
dc.subjectPhotoluminescenceen_US
dc.subjectElectroluminescenceen_US
dc.subjectDebye shieldingen_US
dc.subjectDopingen_US
dc.titleИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В СЛАБО ВЫРОЖДЕННОМ n-GaAsen_US
dc.title.alternativeВИПРОМІНЮВАЛЬНА РЕКОМБІНАЦІЯ У СЛАБО ВИРОДЖЕНОМУ n-GaAsen_US
dc.title.alternativeRADIATIVE RECOMBINATION IN A WEAKLY DEGENERATE n-GaAsen_US
dc.typeArticleen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

  • Статьи
    Статти з телекомунікаційних систем та мереж, антен та пристроїв мікрохвильової техніки, радіотехнічних пристроїв та засобів телекомунікацій, радіотехнічних та телевізійних систем, оптоелектронних систем, твердотільної електроніки, економіки та управління підприємствами (економіка зв'язку)

Show simple item record