Now showing items 1-1 of 1

    • ГЛУБОКИЕ ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ДЛЯ ВОСП 

      Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2010)
      Изучено влияние глубоких примесных центров в p-n-переходах на основе GaAlАs на эффективность электролюминесценции. Исследовались термостимулированные токи при различных скоростях нагрева p-n-переходов. Обнаружен рост ...